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IXTA6N50D2 IXTP6N50D2
IXTH6N50D2
10,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
4
V DS = 250V
1,000
Ciss
3
2
I D = 3A
I G = 10mA
1
100
10
f = 1 MHz
Coss
Crss
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100.0
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
100.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10.0
10.0
100μs
1ms
1ms
1.0
10ms
100ms
1.0
10ms
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
T J = 150oC
T C = 75oC
DC
100ms
0.1
Single Pulse
0.1
Single Pulse
10
100
1,000
10
100
1,000
1.000
0.100
0.010
0.001
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_6N50D2(6C)8-13-09
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IXTA70N085T 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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